Величина рабочего напряжения (Upaб) фотодиодов выбирается по вольтамперным характеристикам таким образом, чтобы оно было меньше критического, и в то же время находилось на участке насыщения вольтамперной характеристики.

Интегральная или токовая чувствительность фотодиодов определяется по их световой характеристике, показывающей зависимость величины фототока от интенсивности возбуждающего потока. Практически определяется при заданной величине освещенности и рабочем напряжении в режиме короткого замыкания. Фототок есть разность между световым и темповым токами при известном напряжении питания на фотодиоде.

Приводятся усредненные характеристики относительной спектральной чувствительности германиевых и кремниевых ПЛЭ. Области сохранения линейности световой характеристики для фотодиодов разных типов различны.

Так, германиевые фотодиоды в фотодиодном режиме насыщаются при интенсивностях порядка от тысячи до десятков тысяч люксов, кремниевые фотодиоды сохраняют в фотодиодном элементам схемы оптико-электронного прибора, должна рассматриваться как величина, характерная для строго определенного режима включения ПЛЭ, при котором известны напряжения на фотоприемнике, величина сопротивления нагрузки и величина возбуждающей засветки. Так же, как и темновой ток, шумы в сильной степени зависят от температуры окружающей среды.

В ряде случаев при создании высокоточных фотоэлектрических датчиков находят применение приемники с внешним фотоэффектом. Из таких приемников широкое применение получили фотоэлектронные умножители (ФЭУ). Фотоэлектронный умножитель содержит катод К, анод А и диодную систему, состоящую из нескольких электродов. Каждый из указанных электродов запитан от делителя напряжения постоянного тока, создающего последующее нарастание напряжения от катода к аноду. Принцип действия ФЭУ состоит в преобразовании световой энергии в фотоэлектрическую эмиссию с последующим многократным ее усилением.

Первичные электроны, выделяемые фотокатодом К под воздействием квантов падающего светового потока, под действием ускоряющего электростатического поля вызывают вторичную электронную эмиссию в диодной системе. Вторичные электроны с электрода в свою очередь за счет действия ускоряющего поля поступают на электрод S2, вызывая появление новых электронов, и так далее.

Порог чувствительности датчика определяется чувствительностью используемого приемника излучения. Зона нечувствительности датчика определяет диапазон начальных смещений, при котором на выходе датчика не наблюдается изменения выходного сигнала. Величина зоны нечувствительности определяется конструкцией координатора и свойствами фотоприемника.